Parmi les materiaux piezoelectriques monocristallins, le quartz est le plus utilise. Cependant ses performances intrinseques atteignent leurs limites pour les applications emergentes. Des relations entre la distorsion structurale du materiau et ses proprietes physiques et piezoelectriques ont ete etablies. Il en ressort que la substitution du silicium par du germanium au sein du reseau cristallin est une methode prometteuse pour ameliorer les proprietes du quartz, notamment le coefficient de couplage et la stabilite thermique de la phase de type quartz-alpha. Les cristaux Si1-xGexO2 obtenus par croissance hydrothermale sont caracterises par microsonde electronique, spectroscopie Raman a haute temperature (jusqu'a 1100 C) et diffraction des rayons X. L'affinement des parametres structuraux montrent que le germanium en se substituant au silicium engendre une distorsion de la structure cristalline. Cette distorsion augmente avec la fraction atomique en Ge et a pour effet de stabiliser la phase de type quartz-alpha tout en reduisant le desordre dynamique meme a haute temperature.